A kutatók már egy ideje dolgoznak átlátszó és nagy vezetőképességű elektródák kifejlesztésén, minimális anyagbevitellel. Számos módja van a használatának. Az ilyen alternatív elektródák előnyösen alkalmasak napelemekhez és más optoelektronikai alkatrészekhez.

A legtöbb ilyen jellegű kutatás célja a már nem elérhető indium, amely különösen érdekes, mint az optoelektronika indium-ón-oxidja (ITO). És azért is, hogy a lehető legnagyobb mértékben csökkentse más megfelelő, de drága anyagok, például ezüst használatát.

2015. július végén a Helmholtz Zentrum Berlin (HZB) Prof. Dr. Christiansen által vezetett kutatócsoport kifejlesztett egy eljárást, amely lehetővé teszi egy átlátszó és ugyanakkor vezetőképes elektróda előállítását indiummentesen és csak kis mennyiségű ezüsttel. Az új elektródák mindössze 0,3 gramm ezüstöt igényelnek négyzetméterenként. Ez körülbelül 70-szer kevesebb ezüst, mint a hagyományos ezüsthálós elektródák - ezüst nanohuzal (AgNW), amelyhez 15-20 gramm ezüst szükséges). A kutatás eredménye tehát technológiailag releváns és árérdekes alternatívát jelent a korábbi elektródákkal szemben.

Az "Ezüst nanohuzal hálózatok kapszulázása atomi réteg lerakódással indiummentes átlátszó elektródákhoz" című teljes cikk már megjelent a Nano Energy Journal 16. számában, és fizetős letöltésként is elérhető. További információk a HZB honlapján találhatók.

Az eredeti publikáció letölthető a "Nano Energy" folyóiratban (Vol. 16, Sept. 2015) az alábbi URL-en. (Kutatócsoport: Manuela Göbelt, Ralf Keding, Sebastian W. Schmitt, Björn Hoffmann, Sara Jäckle, Michael Latzel, Vuk V. Radmilović, Velimir R. Radmilović, Erdmann Spiecker, Silke Christiansen)

Az érintőképernyős technológia területén évek óta piacvezető az ITO (= indium-ón-oxid). Ez a választott anyag, ha a nagy átlátszóság magas felületi elektromos vezetőképességgel találkozik. Az erőforrások azonban fokozatosan kimerülnek, és a vételár ennek megfelelően magas, ami költséghatékony alternatívák kutatására ösztönöz.