Penyelidik di Universiti Lehigh di Bethlehem, Pennsylvania, baru-baru ini dapat mengenal pasti buat kali pertama peningkatan prestasi dalam kekonduksian elektrik rangkaian nanowire rawak yang dicapai oleh sedikit sekatan orientasi nanowire. Apa yang istimewa mengenai hasil kajian, bagaimanapun, adalah bahawa konfigurasi yang lebih banyak disusun tidak mengatasi konfigurasi yang disusun secara rawak. Dalam kes nanowires logam, orientasi rawak menyebabkan peningkatan kekonduksian. Terbitan jurnal "Scientific Reports Nature" pada Mei lalu telah menerbitkan hasil kajian Dr. Tansu dan pasukan penyelidiknya. Kerja penyelidik memberi tumpuan kepada pembangunan model komputer yang mensimulasikan rangkaian logam-nanowire yang akan mempercepatkan proses dan konfigurasi nanowires yang ideal. Model kumpulan penyelidikan Dr. Tansu mengesahkan hasil penyelidikan yang lebih lama daripada laporan eksperimen yang telah dijalankan.

Pada masa ini, indium tin oksida (ITO) adalah bahan yang paling biasa digunakan untuk konduktor telus dalam paparan panel rata, skrin sentuh PCAP, sel suria dan diod pemancar cahaya. Oleh kerana, sebagai tambahan kepada kekonduksian yang sangat tinggi, ia juga mempunyai ketelusan yang tinggi. Walau bagaimanapun, teknologi berasaskan ITO tidak lagi terkini. Di satu pihak, bahan itu perlahan-lahan menjadi terhad, mahal untuk menghasilkan dan sangat rapuh, yang merupakan harta yang sangat tidak diingini untuk teknologi masa depan kita hari ini dalam bidang elektronik fleksibel.